2 декабря 2014 г. в Самарском государственном университете состоятся публичные лекции профессоров РАН Александры Викторовны Андреевой и Александра Леонидовича Деспотули.
Александра Викторовна Андреева – доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (ИПТМ РАН).
Область научных интересов: Кристаллофизика, обобщенная теория симметрии межкристаллитных поверхностей раздела. Материаловедение низкоразмерных систем: процессы структурной самоорганизации и граничный дизайн. Применение методов кристаллоинженерии границ к созданию новых функциональных материалов и приборов микроэлектроники и наноионики.
Александр Леонидович Деспотули – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (ИПТМ РАН).
Область научных интересов: явления, свойства, эффекты, теория и приложения, связанные с быстрым ионным транспортом в твердотельных наносистемах. В 1992 году совместно с В.И. Николайчиком (ИПТМ РАН) предложил термин и концепцию «наноионика». В 2004 году совместно с А.В. Андреевой (ИПТМ РАН) предложил новое научное направление «наноионика передовых суперионных проводников», акцентирующее переход от передовых материалов с быстрым ионным транспортом к передовым приборам.
Самарский государственный университет приглашает посетить лекции всех желающих. Лекция состоится 2 декабря 2014 г. в 14:00 в помещении центра по теоретическому материаолведению СамГУ (ул. Академика Павлова, 1).
Темы лекций:
1. «Наноиника и разработка наноионных приборов в ИПТМ РАН».
Краткий анонс лекции:
В докладе будут рассмотрены: условия, позволившие выдвинуть новую концепцию (наноионика), и уроки развития наноэлектроники в СССР и России, основные результаты по твердотельному синтезу в высоком вакууме (при 300 К) в тонкопленочных наносистемах на основе галоидов серебра и меди множества новых нестехиометрических соединений с рекордно высокими концентрациями оптически- и магнитно-активных элементов, результаты по созданию импульсных суперконденсаторов микронных размеров с функциональными гетеропереходами суперионный проводник/электронный проводник, структурно-динамический теоретический подход, который позволяет решать широкий круг задач ионики твердого тела и наноионики, перспективы наноионных приборов в наноэлектронике, в микросистемной и космической технике.
2. «Граничный дизайн в нанотехнологии: теория и эксперимент»
Краткий анонс лекции:
Межкристаллитные (гомо- и гетерофазные) границы играют центральную роль в нанотехнологии и определяют функциональные свойства твердотельных наносистем. Методы целенаправленного граничного дизайна позволяют преодолеть разрывы в технологической цепочке «возможное – достижимое – желаемое» и получать функциональные наноматериалы и приборы с контролируемыми параметрами. В докладе критически рассмотрены существующие модели и теории атомного строения границ. Обсуждаются процессы структурной самоорганизации наносистем. Представлены методы математической кристаллографии для определения параметров и симметрии специальных границ, алгоритмы поиска низкоэнергетических границ гетероэпитаксии. Применение методов кристаллоинженерии границ позволило достигнуть высоких характеристик в пленочных и нанокристаллических образцах, полученных в ИПТМ РАН. Прогнозируются дальнейшие пути развития методов граничного дизайна в материаловедении.
Контактное лицо: Проф. Блатов Владислав Анатольевич, директор
Межвузовского научно-исследовательского центра теоретического материаловедения.
Тел: 335-67-98
Электронная почта: blatov@archive.samsu.ru
Дополнительная информация для СМИ:
Виолетта Рябова, пресс-секретарь ректора СамГУ
Телефон: 8 937 170-10-14
Электронная почта: violetta.ryabova@inbox.ru